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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk

JAN2N0657S 技術(shù)參數(shù)

JAN1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N986CUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N986C-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N986BUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN2N1711 JAN2N1893 JAN2N1893S JAN2N2060L JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL JAN2N2221A JAN2N2221AL JAN2N2221AUA JAN2N2221AUB JAN2N2222A JAN2N2222AL JAN2N2222AUA JAN2N2222AUB

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