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JAN2N285B

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JAN2N285B 技術參數

JAN2N2857UB 功能描述:RF Transistor NPN 15V 40mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JAN2N2857 功能描述:RF Transistor NPN 15V 40mA 500MHz 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/343 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 JAN2N2605 功能描述:TRANS PNP 60V 0.03A TO46 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/354 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46-3 標準包裝:1 JAN2N2484UB 功能描述:TRANS NPN 60V 0.05A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/376 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:225 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JAN2N2484UA 功能描述:TRANS NPN 60V 0.05A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/376 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:225 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線供應商器件封裝:UA 標準包裝:1 JAN2N2906AUA JAN2N2906AUB JAN2N2907A JAN2N2907AL JAN2N2907AUA JAN2N2919 JAN2N2919L JAN2N2919U JAN2N2920L JAN2N2920U JAN2N2945A JAN2N2946A JAN2N3019 JAN2N3019S JAN2N3055 JAN2N3057A JAN2N3250A JAN2N3251A