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JAN2N3419S

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JAN2N3419S
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AD
23+
-
微芯專營優勢產品

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制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
NPN POWER TRANSISTOR - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk

JAN2N3419S 技術參數

JAN2N3419 功能描述:TRANS NPN 80V 3A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/393 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 JAN2N3418S 功能描述:TRANS NPN 60V 3A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/393 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 JAN2N3418 功能描述:TRANS NPN 60V 3A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/393 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 JAN2N335 功能描述:TRANS NPN 45V 10MA 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 JAN2N3251AUB 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/323 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JAN2N3467L JAN2N3485A JAN2N3486A JAN2N3498 JAN2N3498L JAN2N3499 JAN2N3499L JAN2N3500 JAN2N3500L JAN2N3501 JAN2N3501L JAN2N3501UB JAN2N3506 JAN2N3506A JAN2N3506AL JAN2N3506L JAN2N3507 JAN2N3507A

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