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JAN2N5012

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN2N5012
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
MOT
CAN3
15+
-
百分百原裝假一罰十

JAN2N5012
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
MOT
CAN3
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

JAN2N5012
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9331
MOT
CAN
12+
-
絕對公司原裝現貨

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-5
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk

JAN2N5012 技術參數

JAN2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5004 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582 JAN2N5662 JAN2N5663 JAN2N5664 JAN2N5665