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JANS1N6642US

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JANS1N6642US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話(huà)：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
D
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

JANS1N6642US
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話(huà)：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門(mén)外大街9號(hào)樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 75V 0.3A 2-Pin B-MELF
制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
1N4620DUR-1JANS - Bulk

JANS1N6642US 技術(shù)參數(shù)

JANS1N6642 功能描述:Diode Standard 75V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/578 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6640 功能描述:Diode Standard 50V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/609 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6638 功能描述:Diode Standard 125V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/578 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4.5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6636US 功能描述:Zener Diode 4.7V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:E，軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6632US 功能描述:Zener Diode 3.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:E，軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS2N2221AUBC JANS2N2222A JANS2N2222AUBC JANS2N2369AUB JANS2N2369AUBC JANS2N2907A JANS2N2920 JANS2N3019 JANS2N3439 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR JANS2N3500 JANS2N3501

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