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JANTX1N3999BR

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JANTX1N3999BR 技術參數

JANTX1N3998A 功能描述:Zener Diode 6.2V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTX1N3997A 功能描述:Zener Diode 5.6V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTX1N3996A 功能描述:Zener Diode 5.1V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTX1N3995A 功能描述:Zener Diode 4.7V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTX1N3957 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/228 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JANTX1N4100D-1 JANTX1N4100DUR-1 JANTX1N4100UR-1 JANTX1N4101-1 JANTX1N4101C-1 JANTX1N4101CUR-1 JANTX1N4101D-1 JANTX1N4101DUR-1 JANTX1N4101UR-1 JANTX1N4102-1 JANTX1N4102C-1 JANTX1N4102CUR-1 JANTX1N4102D-1 JANTX1N4102DUR-1 JANTX1N4102UR-1 JANTX1N4103-1 JANTX1N4103C-1 JANTX1N4103CUR-1