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JANTX1N66386

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JANTX1N66386
北京杰創宏達電子有限公司
北京杰創宏達電子有限公司
聯系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室
資質：營業執照
2220
MICROSEMI CORPORATION
原廠原裝
25+
-
授權代理商

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1

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JANTX1N66386 技術參數

JANTX1N6638 功能描述:Diode Standard 125V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/578 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:D，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JANTX1N6637US 功能描述:Zener Diode 5.1V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANTX1N6637 功能描述:Zener Diode 5.1V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANTX1N6635US 功能描述:Zener Diode 4.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANTX1N6633US 功能描述:Zener Diode 3.6V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 JANTX1N6642U JANTX1N6642UB JANTX1N6642UB2 JANTX1N6642UB2R JANTX1N6642UBCA JANTX1N6642UBCC JANTX1N6642UBD JANTX1N6642US JANTX1N6643 JANTX1N6643U JANTX1N6643US JANTX1N6660 JANTX1N6660CAT1 JANTX1N6660CCT1 JANTX1N6660DT1 JANTX1N6661 JANTX1N6661US JANTX1N6662