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JANTX2N1532

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JANTX2N1532 技術參數(shù)

JANTX2N1486 功能描述:TRANS NPN 55V 3A TO-8 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/180 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 40mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:35 @ 750mA，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-233AA，TO-8-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-8 標準包裝:1 JANTX2N1485 功能描述:TRANS NPN 40V 3A TO-8 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/180 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 40mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:35 @ 750mA，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-233AA，TO-8-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-8 標準包裝:1 JANTX1N992B-1 功能描述:Zener Diode 200V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX2N2219 JANTX2N2219A JANTX2N2219AL JANTX2N2221A JANTX2N2221AL JANTX2N2221AUA JANTX2N2221AUB JANTX2N2222A JANTX2N2222AL JANTX2N2222AUA JANTX2N2222AUA/TR JANTX2N2222AUB JANTX2N2222AUB/TR JANTX2N2323 JANTX2N2323A JANTX2N2323AS JANTX2N2323AU4 JANTX2N2323S

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