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JANTXV1N41051

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制造商
MSC
功能描述
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JANTXV1N41051 技術參數

JANTXV1N4104UR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4104D-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4104CUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4104C-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4104-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4106D-1 JANTXV1N4106DUR-1 JANTXV1N4106UR-1 JANTXV1N4107-1 JANTXV1N4107C-1 JANTXV1N4107CUR-1 JANTXV1N4107D-1 JANTXV1N4107DUR-1 JANTXV1N4107UR-1 JANTXV1N4108-1 JANTXV1N4108C-1 JANTXV1N4108CUR-1 JANTXV1N4108D-1 JANTXV1N4108DUR-1 JANTXV1N4108UR-1 JANTXV1N4109-1 JANTXV1N4109C-1 JANTXV1N4109CUR-1