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JANTXV1N5553US

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JANTXV1N5553US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

JANTXV1N5553US
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 800V 5A 2-Pin E-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Trays

JANTXV1N5553US 技術(shù)參數(shù)

JANTXV1N5553 功能描述:Diode Standard 800V 5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5552US 功能描述:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5552 功能描述:Diode Standard 600V 5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5551US 功能描述:Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5551 功能描述:Diode Standard 400V 5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5614US JANTXV1N5615 JANTXV1N5615US JANTXV1N5616 JANTXV1N5616US JANTXV1N5617 JANTXV1N5617US JANTXV1N5618 JANTXV1N5618US JANTXV1N5619 JANTXV1N5619US JANTXV1N5620 JANTXV1N5621 JANTXV1N5621US JANTXV1N5622 JANTXV1N5622US JANTXV1N5623 JANTXV1N5623US

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