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JANTXV1N751A-A

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JANTXV1N751A-A 技術參數

JANTXV1N751A-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±5% Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:- 標準包裝:1 JANTXV1N750DUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N750D-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N750CUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N750C-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N752D-1 JANTXV1N752DUR-1 JANTXV1N753A-1 JANTXV1N753AUR-1 JANTXV1N753C-1 JANTXV1N753CUR-1 JANTXV1N753D-1 JANTXV1N753DUR-1 JANTXV1N754A-1 JANTXV1N754AUR-1 JANTXV1N754C-1 JANTXV1N754CUR-1 JANTXV1N754D-1 JANTXV1N754DUR-1 JANTXV1N755A-1 JANTXV1N755AUR-1 JANTXV1N755C-1 JANTXV1N755CUR-1