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JS28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ JS28F512P33TFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) JS28F512P33EFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F512P33EF0 功能描述:IC FLASH 512MBIT 105NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040 JS28F512P33BFD 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F640J3F75E JS28F640J3F75G JS28F640P30B85A JS28F640P30BF75A JS28F640P30BF75D JS28F640P30T85A JS28F640P30TF75A JS28F640P33B85A JS28F640P33BF70A JS28F640P33T85A JS28F640P33TF70A JS28F800C3BD70 JS-28W JS-307 JS-308 JS-31 JS-32 JS-32A

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