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M5M5V416BRT-10HW

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制造商
MITSUBISHI
制造商全稱
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述
4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

M5M5V416BRT-10HW 技術參數

M5M5256DFP-70GI#BM 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 M5LV-512/256-7SAI 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-7SAC 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-6SAC 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M5LV-512/256-20SAI 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 M6,TRGR M6,TRGY M6,TRRD M60 M60/2 M60100 M602-025.0M M602-040.0M M602-049.152M M6020C-2D M6020C-2S M60-30 M6035C-E3/45 M6035P-E3/45 M6044-2-1 M6044-2-3 M6044-3-1 M6044-3-2