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PMR100-.1J

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PMR100-.1J 技術參數

PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMR100HZPFV3L00 PMR100HZPFV4L00 PMR100HZPJU10L PMR100HZPJU5L0 PMR100HZPJU6L0 PMR100HZPJU7L0 PMR100HZPJU8L0 PMR100HZPJU9L0 PMR100HZPJV10L PMR100HZPJV1L0 PMR100HZPJV1L5 PMR100HZPJV2L0 PMR100HZPJV2L2 PMR100HZPJV3L0 PMR100HZPJV4L0 PMR10EZPFU10L0 PMR10EZPFU5L00 PMR10EZPFU6L00