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PMZ350XNTR

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PMZ350XNTR 技術(shù)參數(shù)

PMZ350XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.87A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ350UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:127pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），3.125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 300mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ320UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:510 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ290UNYL 功能描述:MOSFET 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ290UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315 PMZB550UNEYL PMZB600UNELYL PMZB600UNEYL PMZB670UPE,315

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