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JANTX2N4857

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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

JANTX2N4857A
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

JANTX2N4857
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
374
Microsemi HI-REL [MIL]
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

JANTX2N4857
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SILICONIX
★全新★
〓最新批號
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
功能描述
制造商
INFNON
功能描述
制造商
Motorola Inc
功能描述
制造商
undefined
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
JFET N-CH 40V 360MW TO-18

JANTX2N4857 技術參數

JANTX2N4856UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:175mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:25 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N4854U 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/421 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，無引線供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:1 JANTX2N4854 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/421 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 JANTX2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46（TO-206AB）標準包裝:1 JANTX2N4416AUB 功能描述:JFET N-Channel 35V 15mA @ 15V 300mW Surface Mount 4-SMD 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:15mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線供應商器件封裝:4-SMD 標準包裝:1 JANTX2N5039 JANTX2N5109 JANTX2N5151 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339