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MR10JT30L0

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MR10JT30L0
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
477205
Stackpole Electronics Inc
最新批次
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全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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制造商
SEI Stackpole Electronics Inc
功能描述
RES 10W 0.03 OHMS 5% - Tape and Reel
制造商
SEI Stackpole Electronics Inc
功能描述
Res Metal Film 0.03 Ohm 5% 10W ±50ppm/°C to ±400ppm/°C Molded AXL Thru-Hole T/R

MR10JT30L0 技術參數

MR-1 功能描述:SENSOR CURRENT ID7.2MM OD22.4MM 制造商:kemet 系列:MR 零件狀態:有效匝數比 - 初級:次級:* 頻率:* 電感:- 額定電流:- DC 電阻（DCR）:- E.T.:- 安裝類型:底座安裝大小/尺寸:0.882" 長 x 0.760" 寬（22.40mm x 19.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.327"（8.30mm）端子類型:導線引線標準包裝:80 MR0DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM（磁阻 RAM）存儲容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA（8x8）標準包裝:1 MR0DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM（磁阻 RAM）存儲容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA（8x8）標準包裝:349 MR0D08BMA45R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0D08BMA45 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR1225H24B1-FSR MR1225H24B2-FSR MR1225H24B-FSR MR1225L24B1+6-FSR MR1225L24B1-FSR MR1225L24B2-FSR MR1225L24B-FSR MR1225M24B1+6-FSR MR1225M24B1-FSR MR1225M24B2-FSR MR1225M24B-FSR MR1238E24B1+6-FSR MR1238E24B1-FSR MR1238E24B2-FSR MR1238E24B-FSR MR1238E48B1+6-FSR MR1238E48B1-FSR MR1238E48B2-FSR