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MUSBRA11141

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北京首天偉業科技有限公司
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MUSBRA11141 技術參數

MURT40040R 功能描述:DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:180ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MURT40040 功能描述:DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:180ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC（DO-214AB）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:ITO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MUSBR-A511-302 MUSBRA51140 MUSBRA511M0 MUSBRA511R0 MUSBR-AHD2-241SK MUSBR-AHD2-741SK MUSBR-B151-30 MUSBR-B551-30 MUSBR-E151-30 MUSBR-E551-30 MUSBRM1C130 MUSBRM1C1M0 MUSBRM5C130 MUSBS-05-S-B-TH-TR MUSES01 MUSES02 MUSES72320V-TE2 MUSES8820D

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