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MRF8S21100HSR3

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

MRF8S21100HSR3 技術參數

MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:17V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:244A-01 供應商器件封裝:244A-01、STYLE 1 標準包裝:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-07 供應商器件封裝:211-07、STYLE 1 標準包裝:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:30 MRF8S21200HSR5 MRF8S21200HSR6 MRF8S23120HR3 MRF8S23120HR5 MRF8S23120HSR3 MRF8S23120HSR5 MRF8S26060HR3 MRF8S26060HR5 MRF8S26060HSR3 MRF8S26060HSR5 MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3 MRF8S26120HSR5 MRF8S7120NR3 MRF8S7170NR3 MRF8S7235NR3 MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3