免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > P字母型號搜索 > P字母第954頁 >

PD55008STR-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： PD55008TR PD55008TR-E PD55015-E PD55015S-E PD55015STR-E PD55015TR-E PD55025 PD55025-E PD55025S-E

PD55008STR-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PD55008STR-E PDF下載

功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F.
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD55008STR-E 技術參數

PD55008S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:17dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:4A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:8W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD55008L-E 功能描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:8W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 PD55008-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:17dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:4A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:8W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD55003S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:17dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:3W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD55003L-E 功能描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:3W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 PD55025STR-E PD55025TR-E PD55035-E PD55035S-E PD55035STR-E PD57002 PD57002-E PD57002S-E PD57006-E PD57006S PD57006S-E PD57006STR-E PD57006TR-E PD57018 PD57018-E PD57018S PD57018S-E PD57018STR-E