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PHN.1M.308.XLM

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PHN.1M.308.XLM 技術參數

PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售類型:標簽標簽類型:- 標簽尺寸:3.00" 長 x 1.50" 寬（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基顏色:藍色，紅色，白色配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:16V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝零件狀態:有效連接器類型:插座，母形插口針腳數:8 外殼尺寸 - 插件:308 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛端接:焊杯緊固類型:推挽式，銷鎖朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵外殼材料，鍍層:黃銅，鍍鉻觸頭鍍層:金特性:后殼，屏蔽觸頭鍍層厚度:59μin（1.50μm）額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHG.1B.306.CLLD52Z 功能描述:6 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝零件狀態:有效連接器類型:插座，母形插口針腳數:6 外殼尺寸 - 插件:306 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛端接:焊杯緊固類型:推挽式，銷鎖朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵外殼材料，鍍層:黃銅，鍍鉻觸頭鍍層:金特性:后殼，屏蔽觸頭鍍層厚度:59μin（1.50μm）額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHN.3F.330.XLM PHN.FF.304.XLM PHN203,518 PHN210,118 PHN210T,118 PHNTRAYH PHNTRAYNOH PHO5_14//PSSG//13B12D5//S6R//**DD** PH-OB PHOTONH PHOTONKIT PHOTONNOH PHP.0F.303.XLM PHP.0F.305.NLM PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT