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PMDR-0

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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMDR-0
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Panduit Corp
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMDR-0
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
9565
Panduit Corp
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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功能描述
電線鑒定 POLYESTER FILM #0 TAPE 8’ ROLL
RoHS
否
制造商
TE Connectivity / Q-Cees
產(chǎn)品
Labels and Signs
類型
材料
Vinyl
顏色
Blue
寬度
0.625 in
長(zhǎng)度
1 in

PMDR-0 技術(shù)參數(shù)

PMDPB95XNE2X 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:258pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW（Ta）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB95XNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 15V 功率 - 最大值:475mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:103 毫歐 @ 1.3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70XPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C PMDR-D PMDR-E

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配單專線：0755-83286799
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配單專線：0755-84864007

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