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 用于控制、調節和開關目的的功率半導體需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(on)），IGBT導通，負輸出電壓為-5 …-8…-15V時，IGBT關斷。IGBT的動態性能可通過柵極電阻值來調節。柵極電阻影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。FZ1600R17KF6C-B2因此柵極電阻必須根據具體應用的參數非常仔細地選擇和優化。

    每個IGBT開關特性的設定可受外部電阻RG的影響。由于FZ1600R17KF6C-B2的輸入電容在開關期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過限制導通和關斷期間柵極電流（IG）脈沖的幅值來決定充放電多長時間（見圖1）。由于柵極峰值電流的增加，導通和關斷的時間將會縮短且開關損耗也將會減少。FZ1600R17KF6C-B2減小RG(on)和RG(off)的阻值會增大柵極峰值電流。當減小柵極電阻的阻值時，需要考慮的是當大電流被過快地切換時所產生的電流隨時間變化特性di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產生大的電壓尖峰。這一效果可在圖2所示的IGBT關斷時波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關斷損耗的相對值。集電極-發射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會損壞IGBT，特別是在短路關斷操作的情況下，因為di/dt比較大。可通過增加柵極電阻的值來減小Vstray。因此，消除了由于過電壓而帶來的IGBT被損毀的風險。快速的導通和關斷會分別帶來較高的dv/dt和di/dt，因此會產生更多的電磁干擾（EMI），從而可能導致電路故障。表1顯示不同的柵極電阻值對di/dt的影響。

                                                           圖1 導通、關斷/柵極電流

圖2 IGBT關斷