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產品信息
美國Graphene supermarket
單層H-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285納米（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm；8包
薄膜是連續的，帶有小孔和有機殘留物。
石墨烯薄膜為牙前單層（95%以上），偶爾有小的多層島（5%以下為雙層）。
片電阻：430-800Ω/平方
以下所示的每張膠片的轉移
在銅箔上通過化學氣相沉積法生長石墨烯薄膜和H-BN薄膜，然后轉移到SiO2/Si晶片上。
欲了解轉移前薄膜的特性，請參閱我們的相關產品：銅箔上的石墨烯和銅箔上的H-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性：
氧化物厚度：285納米
氧化物厚度：285納米
顏色：紫色
晶片厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005ohm-cm
類型/摻雜劑：P/硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
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