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| FET 類型 | N 通道 |
|---|---|
| 技術 | MOSFET(金屬氧化物) |
| 漏源電壓(Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) | 1.4A(Ta) |
| 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 220 毫歐 @ 910mA,10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) | 150pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | SOT-23-3 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |