制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件編號
APTGT200A120G
描述 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 32 周
詳細描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
類別 分立半導體產品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
零件狀態 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
配置 半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 280A
功率 - 最大值 890W
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.1V @ 15V,200A
電流 - 集電極截止(最大值) 350μA
不同 Vce 時的輸入電容(Cies) 14nF @ 25V 輸入 標準
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 SP6
供應商器件封裝 SP6
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