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STD10P10F6

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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STD10P10F6
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-252
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STD10P10F6
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
13740
ST
TO-252
24+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)

STD10P10F6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-252
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

STD10P10F6
深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
聯(lián)系人：吳先生/吳小姐/朱先生
電話：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票
7500
ST
TO-252
2020+
-
全新原裝現(xiàn)貨渠道優(yōu)勢(shì)庫存假一罰十

STD10P10F6
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
DPAK/TO-252
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STD10P10F6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6007
ST/意法半導(dǎo)體
TO-252-3
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STD10P10F6
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STD10P10F6
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓
126
STMICROELECTRONICS
NA
20+
-
現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

STD10P10F6
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STD10P10F6
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
2500
ST MICROELECTRONICS
價(jià)格優(yōu)勢(shì)
2416
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET P-CH 100V 10A
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F6
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
180 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
16.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
864pF @ 80V
功率 - 最大值
40W
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STD10P10F6 技術(shù)參數(shù)

STD10NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:577pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:630 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD11N60M2-EP STD11N65M2 STD11N65M5 STD11NM50N STD11NM60N STD11NM60N-1 STD11NM60ND STD11NM65N STD120N4F6 STD120N4LF6 STD12100TR STD127DT4 STD12N10T4G STD12N50DM2 STD12N50M2 STD12N60M2 STD12N65M2 STD12N65M5

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