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STFI40N60M2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STFI40N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STFI40N60M2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
990
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STFI40N60M2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
I2PAKFP （281）
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

1/1頁 40條/頁共14條
1

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STFI40N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STFI40N60M2 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
34A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
88 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
57nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2500pF @ 100V
功率 - 最大值
40W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak
供應商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
標準包裝
50

STFI40N60M2 技術參數

STFI34NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2722pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI34N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI31N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:148 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627 STFN42 STFPC311 STFPC311BTR STFPC320BTR STFU13N60M2 STFU13N65M2 STFU13N80K5 STFU15N80K5 STFU15NM65N STFU18N60M2 STFU18N65M2 STFU24N60M2 STFU28N65M2 STFU6N65