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STGB5H60DF

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB5H60DF
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

STGB5H60DF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

STGB5H60DF
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6002
ST/意法半導體
Si
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STGB5H60DF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共11條
1

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STGB5H60DF PDF下載

功能描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
20A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
1.95V @ 15V，5A
功率 - 最大值
88W
開關能量
56μJ（開），78.5μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
43nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/140ns
測試條件
400V，5A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
134.5ns
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
D2PAK
標準包裝
1

STGB5H60DF 技術參數

STGB4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:456μJ（開），411μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關）值:52ns/208ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:498μJ（開），363μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 開關能量:236μJ（開），290μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/118ns 測試條件:800V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:51ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 開關能量:125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:16nC 25°C 時 Td（開/關）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ