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STGWT80V60DF

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGWT80V60DF
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-3PB
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STGWT80V60DF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

STGWT80V60DF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
440
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STGWT80V60DF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
TO-3P
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

STGWT80V60DF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-3P
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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1

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STGWT80V60DF PDF下載

功能描述
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
240A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.3V @ 15V，80A
功率 - 最大值
469W
開關(guān)能量
1.8mJ（開），1mJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
448nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
60ns/220ns
測試條件
400V，80A，5 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr）
60ns
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-3P
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30

STGWT80V60DF 技術(shù)參數(shù)

STGWT80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:84ns/280ns 測試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:84ns/280ns 測試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT60V60DF 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:750μJ（開），550μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:334nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:60ns/208ns 測試條件:400V，60A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:74ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT60H65FB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:51ns/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:51ns/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STH13009 STH130N10F3-2 STH130N8F7-2 STH-14 STH140N6F7-2 STH140N6F7-6 STH140N8F7-2 STH145N8F7-2AG STH150N10F7-2 STH15NB50FI STH160N4LF6-2 STH170N8F7-2 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2

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