免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STS10PF30L.

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " STS10PF30L. " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STS110003CHIP STS110003L360500G918 STS110003L360500U129 STS11N3LLH5 STS11NF30L STS121PC STS121RA STS12N3LLH5 STS12NF30L

STS10PF30L. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STS10PF30L. PDF下載

制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET

STS10PF30L. 技術參數

STS10PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10DN3LH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS12NH3LL STS1300PC STS1300RA STS131PC STS131RA STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60