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STS710

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STS710
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業(yè)執(zhí)照
480
SSOUSA
SOP16
2007
-
原裝現(xiàn)貨/特價

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL

STS710 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STS710 技術參數(shù)

STS6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 24V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS6NF20V 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:450mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN)

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