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ZXMP3F35N8TA

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ZXMP3F35N8TA
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
250000
不止1只ZETEX
SOP-8
最新批次
-
百分百原裝正品，假一罰十

ZXMP3F35N8TA
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
ZETEX/D
SOP8
1002+
-
全新原裝現(xiàn)貨

ZXMP3F35N8TA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ZETEX
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

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功能描述
MOSFET 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMP3F35N8TA 技術(shù)參數(shù)

ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:472pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 11A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ZXMP6A13FTA ZXMP6A13GQTA ZXMP6A13GTA ZXMP6A16DN8QTA ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TC ZXMP6A16GTA ZXMP6A16KTC ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17GQTA ZXMP6A17GTA ZXMP6A17KTC ZXMP6A17N8TC ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18KTC ZXMP7A17GQTA

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