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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 20V 1W DO-41

1N3027B-1 技術(shù)參數(shù)

1N3026BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3026B-1 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3025BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 16V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3025B-1 功能描述:DIODE ZENER 16V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3024BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 15V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1 1N3035BUR-1 1N3036B-1 1N3036BUR-1 1N3037B-1 1N3037BUR-1 1N3038B-1 1N3038BUR-1 1N3039B-1 1N3039BUR-1 1N3040B-1 1N3040BUR-1

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