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1N4732AP/TR12

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 4.7V, ? 5% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 4.7V 5% DO41

1N4732AP/TR12 技術參數

1N4732AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4732A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4732A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4732A,133 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A-TR 1N4732AUR 1N4732CE3/TR13 1N4732CP/TR12 1N4732CP/TR8 1N4732CPE3/TR12 1N4732CPE3/TR8 1N4732E3/TR13 1N4732G A0G 1N4732G R0G 1N4732P/TR12 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G