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1N4732AP/TR8

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功能描述
DIODE ZENER 4.7V 1W DO-41
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N4732AP/TR8 技術參數

1N4732AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4732AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4732A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4732A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4732A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4732AUR 1N4732CE3/TR13 1N4732CP/TR12 1N4732CP/TR8 1N4732CPE3/TR12 1N4732CPE3/TR8 1N4732E3/TR13 1N4732G A0G 1N4732G R0G 1N4732P/TR12 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G 1N4733A TR