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1N4755CP/TR8

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 43V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 43V 2% DO41

1N4755CP/TR8 技術參數

1N4755CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4755CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4755AUR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4755A-TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755ATR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4756 G 1N4756A 1N4756A A0G 1N4756A B0G 1N4756A BK 1N4756A G 1N4756A R0G 1N4756A R1G 1N4756A TR 1N4756A_T50A 1N4756A_T50R 1N4756AE3/TR13 1N4756AHA0G 1N4756AHB0G 1N4756AHR0G 1N4756AHR1G 1N4756AP/TR12 1N4756AP/TR8