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參數資料
| 型號： | 2N3725 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High-Voltage, High-Current Switch(硅平面外延工藝NPN晶體管) |
| 中文描述： | 高電壓，大電流開關（硅平面外延工藝npn型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | 2N3725 |
2N3725
January 1989
HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH
The 2N3725 is a silicon planar epitaxial transistor
inTO-39metalcase Itisahigh-voltage, high current
switch used for memory applications requiring
breakdown voltages up to 50 V and operating cur-
rents to 1 A. Fast switching times are assured be-
cause of the high minimum f
T
(300 MHz) and tight
control on storage time.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Parameter
Value
80
80
50
6
1
0.8
3.5
– 65 to 200
Unit
V
V
V
V
A
W
W
°
C
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector-emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Power Dissipation at T
amb
≤
25
°
C
at T
case
≤
25
°
C
T
stg
, T
j
Storage and Junction Temperature
DESCRIPTION
TO-39
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3737UB | Silicon NPN Transistor |
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| 2N6424 | Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3725A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3725L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3725UB | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR UB LAW - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| 2N3726 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Dual Transistors |
| 2N3727 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
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