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APT5518BFLLG

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說明
操作

APT5518BFLLG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-3P
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

APT5518BFLLG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
65000
APT
TO-3P
08+
-
全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT5518BFLLG 技術參數

APT5510JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:44A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5823pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關能量:534μJ（開），466μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:28nC 25°C 時 Td（開/關）值:17ns/112ns 測試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關能量:534μJ（開），466μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:158nC 25°C 時 Td（開/關）值:17ns/112ns 測試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 25.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG