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APT56F50B2

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT56F50B2
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
61
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT56F50B2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
T-MAXB2
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT56F50B2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
18210
MICROSEMI
Standa..
24+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

APT56F50B2
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
PLUS247
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT56F50B2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT56F50B2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
T-MAX?[B2]
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT56F50B2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
T-MAX?[B2]
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT56F50B2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
T-MAX?[B2]
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT56F50B2
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
40
MICROSE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT56F50B2
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 8™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT56F50B2 技術(shù)參數(shù)

APT55M65JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:63A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 31.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:205nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9165pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT55M50JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:77A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 38.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:265nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12400pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT5518BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3286pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT5510JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5823pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ（開），466μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/112ns 測試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG

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配單專線：0755-84864007

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