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APT70GR65B2SCD30

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT70GR65B2SCD30
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247,T-Max
25+
-
國產品牌，替代進口

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您是不是要找： APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG

APT70GR65B2SCD30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT70GR65B2SCD30 PDF下載

功能描述
IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
制造商
microsemi corporation
系列
*
包裝
散裝
零件狀態
有效
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
134A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
260A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.4V @ 15V，70A
功率 - 最大值
595W
開關能量
*
輸入類型
*
柵極電荷
305nC
25°C 時 Td（開/關）值
19ns/170ns
測試條件
433V，70A，4.3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
-
封裝/外殼
TO-247-3
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
T-MAX? [B2]
標準包裝
1

APT70GR65B2SCD30 技術參數

APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:標準柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:1.51mJ（開），1.46mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:544nC 25°C 時 Td（開/關）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L