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APT75DL120HJ

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT75DL120HJ
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT75DL120HJ
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
MICROSEMI/美高森美
SOT-227-4
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT75DL120HJ
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專營優勢產品

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
RECTIFIER MODULE - STANDARD RECOVERY

APT75DL120HJ 技術參數

APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1700V 電流 - DC 正向（If）:75A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B