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APTC60DDAM70T1G

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APTC60DDAM70T1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營優勢產品

1/1頁 40條/頁共40條
1

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APTC60DDAM70T1G PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD MOSFET 600V SP1
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES

APTC60DDAM70T1G 技術參數

APTC60DDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG

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