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BSS214NL6327HTSA1

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BSS214NL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23

BSS214NL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSS214NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:143pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS209PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:630mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 630mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS209PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:580mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 580mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.38nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:89.9pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS209PW 功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:580mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 580mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.38nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:89.9pF @ 15V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1

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