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BUK7M17-80EX

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7M17-80EX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SOT1210
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

1/1頁 40條/頁共40條
1

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BUK7M17-80EX PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
43A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
29.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2031pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
17 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BUK7M17-80EX 技術(shù)參數(shù)

BUK7M15-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42.9A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1262pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7M12-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1625pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7M12-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:979pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7M10-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1231pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7L11-34ARC,127 功能描述:MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2506pF @ 25V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7M8R0-40EX BUK7M9R9-60EX BUK7Y07-30B,115 BUK7Y08-40B,115 BUK7Y08-40B/C,115 BUK7Y102-100B,115 BUK7Y10-30B,115 BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B,115 BUK7Y12-80EX BUK7Y13-40B,115 BUK7Y14-80EX BUK7Y15-100EX BUK7Y153-100EX BUK7Y15-60EX BUK7Y18-55B,115

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