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CSD13380F3

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

CSD13380F3
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
3000
TI原廠原裝
PICOSTAR3
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CSD13380F3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Texas Instruments
3-SMD，無引線
21+
-
質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

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功能描述
MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
3.6A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
1.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
156pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
76 毫歐 @ 400mA，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
3-PICOSTAR
封裝/外殼
3-XFDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD13380F3 技術(shù)參數(shù)

CSD13306WT 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.2m? @ 1.5A, 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 6V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13303W1015 功能描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 mOhm @ 1.5A、 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:715pF @ 6V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13202Q2 功能描述:MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:997pF @ 6V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13201W10 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD12126SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售容器類型:盒大小/尺寸:12.008" 長 x 12.008" 寬（305.00mm x 305.00mm）高度:5.984"（152.00mm）面積（L x W）:144 in2（929 cm2）設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T，蓋材料:金屬，不銹鋼顏色:天然厚度:16 號(hào) 特性:密封墊，不銹鋼鉸鏈，壁裝等級(jí):IP66，NEMA 3R，4，4X，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送重量:14 磅（6.4kg）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3T CSD15571Q2 CSD16126 CSD16128 CSD161610 CSD16166 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C

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