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CSD17327Q5A

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD17327Q5A
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
6000
有30000個TI
DFN56
15+
-
原裝正品，假一罰十

CSD17327Q5A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
325000
TI
SON5X6
13+
-
全新原裝現貨

CSD17327Q5A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7505
TI
SON8
13+
-
原裝正品現貨庫存

CSD17327Q5A
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
TI
近兩年生產
DFN-8
-
每一片都來自原廠

CSD17327Q5A
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD17327Q5A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
SON5X6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

CSD17327Q5A
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
2500
TI
VSON
1301+
-
原廠特價貨源

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1

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功能描述
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD17327Q5A 技術參數

CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:87A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17318Q2T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:879pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:16W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 8A， 8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-WSON（2x2）封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤標準包裝:1 CSD17313Q2T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17313Q2Q1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:汽車級，AEC-Q100，NexFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17313Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT