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CSD17581Q3AT

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批號
價格
說明
操作

CSD17581Q3AT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD17581Q3AT
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
39800
TI
DFN-8
新年份
-
一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價！

CSD17581Q3AT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321197
TI
con
24+
-

CSD17581Q3AT
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321197
TI
con
24+
-

CSD17581Q3AT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321197
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

CSD17581Q3AT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321197
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

CSD17581Q3AT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321197
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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功能描述
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
60A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
3.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
54nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3640pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
8-VSONP（3x3.15）
標準包裝
1

CSD17581Q3AT 技術(shù)參數(shù)

CSD17581Q3A 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），63W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 CSD17579Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1030pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17579Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:998pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD17579Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:998pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD17578Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1510pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18503Q5A CSD18503Q5AT CSD18504KCS CSD18504Q5A CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B

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