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CSD18502KCS

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD18502KCS
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD18502KCS
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18210
TI
TO-220
24+
-
全新原裝正品現貨熱賣

CSD18502KCS
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD18502KCS
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5265
Texas Instruments
TO-220
13+
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

CSD18502KCS
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
TO-220
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

CSD18502KCS
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

CSD18502KCS
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
17500
TI
TO220
22+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

CSD18502KCS
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
950
TI
TO-220
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

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1

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功能描述
MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD18502KCS 技術參數

CSD18501Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3840pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17585F5T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD17585F5 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD17581Q5AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），123A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（5x6）標準包裝:1 CSD17581Q3AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A