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CSD18536KTTT

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
1250
TI
TO-263
22+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321229
TI
con
24+
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天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321229
TI
con
24+
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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321229
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321229
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321229
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24+
-
優勢庫存，原裝正品

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Ta），349A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.6 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
140nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
11430pF @ 30V
功率 - 最大值
375W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
標準包裝
1

CSD18536KTTT 技術參數

CSD18536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD18536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:108nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta），279A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6620pF @ 30V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT

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